韩国海力士半导体于当地时间08年8月28日邀请政府官员等举行了竣工典礼。
M11将采用40nm制造工艺，专门生产16Gbit及32Gbit等高密度NAND闪存。预定08年9月开始投产。最初月产规模为4万枚（按晶圆使用量计算），将来会根据市场动向逐渐增产。最多可能会增产至每月20万枚。
M11为清州工厂的第三栋制造车间，海力士认为，新的制造车间具有能够利用现有工厂设备及人员的优势。目前，该公司正在全球整合支持200mm晶圆的工厂，清州工厂支持200mm晶圆的制造车间也于08年7月纳入了整合对象。该公司董事会主席兼首席执行官金钟甲(Kim Jong-kap)表示，“我们希望以M11竣工为起点，把清州工厂建成全球第一大NAND闪存工厂”。
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