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元器件知识
小功率三极管参数表
型号 材料与极性 Pcm(W) Icm(mA) BVcbo(V) ft(MHz) 3DG6C SI-NPN 0.1 20 45 100 3DG7C SI-NPN 0.5 100 60 100 3DG12C SI-NPN 0.7 300 40 300 3DG111 SI-NPN 0.4 100 20 100 3DG112 SI-NPN 0.4 100 60 100 3DG130C SI-NPN 0.8 300 60 150 3DG201C SI-NPN 0.15 25 45 150...
作者:佚名发表于:2008-03-01 08:38:03 点击:244 评论:0 查阅全文...
射频功率管参数概述
型号 工作频率(MHZ) 额定输出功率(W) 极限工作电压(V) 额定工作电流(mA) 代换型号 MRF5812 5G 2 20 200 A-238 1G 5 36 800 D10-P 1.1G 11 30 1A C1959 300 0.5 30 1A C2131 1.7G 0.8 40 600 C3358 7G 0.25 25 100 BFW16A 1.2G 1.5 40 150 D3-28 960 10 30 500...
作者:佚名发表于:2008-03-01 08:35:23 点击:59 评论:0 查阅全文...
二极管,三极管与MOS器件原理
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电...
作者:佚名发表于:2008-03-01 08:32:42 点击:48 评论:0 查阅全文...
可控硅基础知识
可控硅在自动控制控制,机电领域,工业电气及家电等方面都有广泛的应用。可控硅是一种有源开关元件,平时它保持在非道通状态,直到由一个较少的控制信号对其触发或称“点火”使其道通,一旦被点火就算撤离触发信号它也保持道通状态,要使其截止可在其阳极与阴极间加上反...
作者:佚名发表于:2008-03-01 08:31:14 点击:52 评论:0 查阅全文...
电容的识别
电容在电路中一般用“C”加数字表示(如C13表示编号为13的电容)。电容是由两片金 属膜紧靠,中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。 电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交 流信号的频率和电容...
作者:佚名发表于:2008-03-01 08:28:13 点击:66 评论:0 查阅全文...
电子元件基础知识
其最基本的作用就是阻碍电流的流动。衡量电阻器的两个最基本的参数是阻值和功率。阻值用来表示电阻器对电流阻碍作用的大小,用欧姆表示。除基本单位外,还有千欧和兆欧。功率用来表示电阻器所能承受的最大电流,用瓦特表示,有1/16W,1/8W,1/4W,1/2W,1W,2W等多种,...
作者:佚名发表于:2008-03-01 08:24:27 点击:284 评论:0 查阅全文...
电阻标称值简介
精度为5%的碳膜电阻,以欧姆为单位的标称值: 1.05.6331608203.9K20K100K510K2.7M 1.16.2361809104.3K22K110K560K3M 1.26.8392001K4.7K24K120K620K3.3M 1.37.5432201.1K5.1K27K130K680K3.6M 1.58.2472401.2K5.6K30K150K750K3.9M 1.69.1512701.3K6.2K33K160K820K4.3M 1....
作者:佚名发表于:2008-02-29 11:26:12 点击:151 评论:0 查阅全文...
场效应管简介
场效应管是一种单极型晶体管,它只有一个P-N结,在零偏压的状态下,它是导通的,如果在其栅极(G)和源极(S)之间加上一个反向偏压(称栅极偏压)在反向电场作用下P-N变厚(称耗尽区)沟道变窄,其漏极电流将变小,(如图C1-b),反向偏压达到一定时,耗尽区将完全沟道 " 夹断 " ,此时,...
作者:佚名发表于:2008-02-29 11:10:11 点击:27 评论:0 查阅全文...
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