- 二极管,三极管与MOS器件原理
- 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电...
- 作者：佚名发表于：2008-03-01 08:32:42 点击：71 评论：0 查阅全文...
- 可控硅基础知识
- 可控硅在自动控制控制，机电领域，工业电气及家电等方面都有广泛的应用。可控硅是一种有源开关元件，平时它保持在非道通状态，直到由一个较少的控制信号对其触发或称“点火”使其道通，一旦被点火就算撤离触发信号它也保持道通状态，要使其截止可在其阳极与阴极间加上反...
- 作者：佚名发表于：2008-03-01 08:31:14 点击：83 评论：0 查阅全文...
- 电容的识别
- 电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C13表示编号为13的电容）。电容是由两片金 属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。 电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交 流信号的频率和电容...
- 作者：佚名发表于：2008-03-01 08:28:13 点击：206 评论：0 查阅全文...
- 电子元件基础知识
- 其最基本的作用就是阻碍电流的流动。衡量电阻器的两个最基本的参数是阻值和功率。阻值用来表示电阻器对电流阻碍作用的大小，用欧姆表示。除基本单位外，还有千欧和兆欧。功率用来表示电阻器所能承受的最大电流，用瓦特表示，有1/16W，1/8W，1/4W，1/2W，1W，2W等多种，...
- 作者：佚名发表于：2008-03-01 08:24:27 点击：671 评论：1 查阅全文...
- 电阻标称值简介
- 精度为5％的碳膜电阻，以欧姆为单位的标称值： 1.05.6331608203.9K20K100K510K2.7M 1.16.2361809104.3K22K110K560K3M 1.26.8392001K4.7K24K120K620K3.3M 1.37.5432201.1K5.1K27K130K680K3.6M 1.58.2472401.2K5.6K30K150K750K3.9M 1.69.1512701.3K6.2K33K160K820K4.3M 1....
- 作者：佚名发表于：2008-02-29 11:26:12 点击：442 评论：0 查阅全文...
- 场效应管简介
- 场效应管是一种单极型晶体管,它只有一个P-N结,在零偏压的状态下,它是导通的,如果在其栅极(G)和源极(S)之间加上一个反向偏压(称栅极偏压)在反向电场作用下P-N变厚(称耗尽区)沟道变窄,其漏极电流将变小,(如图C1-b),反向偏压达到一定时,耗尽区将完全沟道 " 夹断 " ,此时,...
- 作者：佚名发表于：2008-02-29 11:10:11 点击：43 评论：0 查阅全文...
- 数字多用表--国际安全标准
- 随着电力的分配系统和负载越来越复杂，瞬间过压的可能性大大增加了。马达、电容、功率变换器、变频调速器等设备是最主要的尖峰源。室外输电线路遭受雷击也会引起非常危险的高能量瞬间高压。如果你进行电力系统的测量，这种瞬间高压常常是不可见的，但它确实存在，难以...
- 作者：发表于：2007-11-08 00:32:17 点击：99 评论：0 查阅全文...
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