- 场效应晶体管放大器的使用概述
- 场效应晶体管好坏的判断及使用时注意事项MOS场效应晶体管使用注意事项 MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则： 1.MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，...
- 作者：佚名发表于：2008-05-09 18:35:32 点击：1 评论：0 查阅全文...
- 关于场效应晶体管的使用及分类
- 场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有P...
- 作者：佚名发表于：2008-05-09 18:33:17 点击：1 评论：0 查阅全文...
- 可控硅元件的基本结构
- 可控硅是一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T。又由于晶闸管最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。 在性能上，可控硅不仅具有单向导电...
- 作者：佚名发表于：2008-05-09 18:31:34 点击：1 评论：0 查阅全文...
- 光控晶闸管的基本构造
- 光控晶闸管也称GK型光开关管，是一种光敏器件。 1．光控晶闸管的结构 通常晶闸管有三个电极：控制极G、阳极A和阴极C。而光控晶闸管由于其控制信号来自光的照射，没有必要再引出控制极，所以只有两个电极(阳极A和阴极C)。但它的结构与普通可控硅一样，是由四层PNPN器件构...
- 作者：佚名发表于：2008-05-09 18:22:27 点击：1 评论：0 查阅全文...
- 传感器的选型指南介绍
- 类型 型号 技术指标 适用范围 备注 垂直速度传感器 EG－10A 自然频率（Hz）：10±5% 直流电阻（Ω）：390±5% 灵敏度（Mv/cm/s-1）:320±10% 频...
- 作者：佚名发表于：2008-05-07 19:15:34 点击：19 评论：0 查阅全文...
- DDC112外接积分电容器
- DDC112的数字输入引脚RANGE0、RANGE1以及RANGE2的设置为满量程输入范围。表1列出了各种组合的相应数值。RANGE1至RANGE 7为满量程范围，其起点是50 pC，每多一级增加50 pC。这些范围通过内部电容器输入到DDC112。对于需要其他范围的应用，Range0容许用户采用关闭内部电容...
- 作者：佚名发表于：2008-04-29 18:07:08 点击：8 评论：0 查阅全文...
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