1、什么叫半导体？
答：半导体顾名思义，就是指它的导电能力介于导体和绝缘体之间的物质 。常用的半导体材料有硅（Si）和锗（Ge）等。
2、半导体主要有哪些特性？
答：半导体主要有三个特性：1）光敏特性；2）热敏特性；3）掺杂特性。
所谓光敏特性是指某些半导体受到强烈光线照射时，其导电性能大大增强；光线移开后，其导电性能大大减弱。所谓热敏特性是指外界环境温度升高时，半导体的导电性能也随着温度的升高而增强。所谓掺杂特性是指在纯净的半导体中，如果掺入极微量的杂质可使其导电性能剧增。
3、什么是P型半导体？
答：根据半导体的掺杂特性，在半导体中掺入微量的硼、铝、铟、镓等元素后，半导体中就会产生许多缺少电子的空穴，使半导体中的空穴浓度大大高于自由电子的浓度，这种靠空穴导电的半导体是P型半导体。
4、什么是N型半导体？
答：在半导体中掺入微量磷、锑、砷等元素后，半导体中就会产生许多带负电的电子 ，使半导体中自由电子的浓度大大高于空穴浓度。这种靠电子导电的半导体是N型半导体。
5、如何判别电路中晶体管的工作状态？
答：判别电路中晶体管工作状态，通常通过测量晶体管的极间电压来判别。
当VBE<0.5v时，管子为截止状态，为使截止可靠，常使vbe≤0，此时发射结和集电结均处于反向偏置状态。当vce=vbe时，管子为饱和状态。而当vcevb>VE时 ，发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。此时管子工作在放大状态。
6、如何判别晶体管是硅管还是锗管？
答：可用万用表R X 100或R X 1K档测量管子PN结的正向电阻，对于NPN型管子，负表笔接基极，正表笔任意一极。对于PNP型管子，测量方法与NPN管相反。如果表针的位置在表盘中间，此管为硅管。如果表针位置在电阻零端时，该管为锗管。
7、晶体管的发射极与集电极可否调换使用？
答：将晶体管的发射极与集电极调换使用是可以的 。称这种方法为倒置使用。但倒置后降低了晶体管的放大倍数 ，因此很少在放大电路中采用这种方法 。若管子倒置使用要特别注意：管子的集-基极的反向电压应小于允许的反向击穿电压，否则要引起晶体管的损坏。
8、场效应管
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